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Carga el mundo en un instante

La ultrarrápida interfaz PCIe Gen4 x4 del AS2280Q4U cumple totalmente con el estándar NVMe 1.4. Con un rendimiento de lectura/escritura secuencial de hasta 7400/7000 MB/s, es dos veces más rápido que el SSD Gen3 y 15 veces más rápido que el SSD SATA, lo que brinda a los jugadores y creadores de videos un rendimiento incomparable.

Especificaciones exactas de PS5

Construido con flash 3D NAND, el AS2280Q4U ofrece opciones de capacidad de hasta 2 TB y ofrece rendimiento y confiabilidad superiores. Cumple con los requisitos de SSD M.2 para la PS5 en todos los sentidos, lo que la convierte en una forma sencilla de obtener espacio de almacenamiento adicional en su PS5.

Estética de diseño sutil

Existe una similitud estética que la convierte en el compañero perfecto para la PS5 en términos de apariencia. También incluye un portal de disipación de calor que se creó para sugerir las dimensiones del controlador PS5 DualSense.

Disipador de calor de metal especial para una mejor refrigeración

El SSD AS2280Q4U proporciona un disipador de calor especial con un diseño de corte desviador especial para reducir eficazmente la temperatura de los SSD PCIe 4.0 hasta en un 35 %. Los jugadores no tienen que preocuparse por las caídas de rendimiento causadas por temperaturas más altas.

El mecanismo de protección de datos garantiza un funcionamiento continuo

Para garantizar un funcionamiento rápido y sin errores para los usuarios, el AS2280Q4U tiene varias tecnologías de protección integradas. El almacenamiento en caché SLC es una tecnología diseñada para garantizar de manera efectiva un almacenamiento de datos correcto y estable. Con tecnología avanzada de nivelación de desgaste incorporada y funciones de corrección automática de errores, no solo puede extender la vida útil del SSD y mejorar la estabilidad de operación, sino también garantizar el rendimiento estable del producto después de un uso prolongado.



Especificaciones

  • Nombre del producto: AS2280Q4U
  • Capacidad: 1 TB
  • Interfaz: PCIe Gen4 x4
  • Flash NAND: 3D NAND
  • Rendimiento de lectura secuencial: hasta 7400 MB/s
  • Rendimiento de escritura secuencial: hasta 7000 MB/s
  • IOP (escritura aleatoria 4K): hasta 1 000 000 IOPS
  • Impacto: 1500 G/0,5 ms
  • MTBF: 1 600 000 horas
  • Temperatura
  • Temperatura de funcionamiento estándar: 0 °C ~ +70 °C
  • Temperatura de almacenamiento: -40 ~ +85 °C
  • Dimensiones:
  • Un solo lado: (L)80,00 x (W)22,00 x (H)2,25 mm
  • Doble lado: (L)80,00 x (W)22,00 x (Al) 3,5 mm
  • Con disipador de calor: (L) 80 mm x (An) 22,9 mm x (Al) 10,8 mm
  • Un solo lado: 7,6 g
  • Doble lado: 10,2 g
  • Accesorio: Disipador de calor
  • Certificado: RoHS

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